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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
43
Por volta de 37% menor latência
Razões a considerar
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
43
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2776
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
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Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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