RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
41
Por volta de 34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
41
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1855
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link