RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
49
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
49
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
10.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2504
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link