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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
49
Por volta de 45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
9.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
49
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2277
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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