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PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
31
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
8.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
31
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
no data
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
, 1.20000005, CAS Supported:
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3043
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
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