RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
54
Por volta de 50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
10600
Por volta de 2.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
54
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
23400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2259
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Comparações de RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Mushkin 991586 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link