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PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
16.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3634
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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