PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

Pontuação geral
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Pontuação geral
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Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 76
    Por volta de 64% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.8 left arrow 10.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.4 left arrow 6.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 10600
    Por volta de 2.01 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 76
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.8 left arrow 10.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.4 left arrow 6.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2274 left arrow 1260
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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