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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
32
Por volta de 16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
10.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
10.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2349
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
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