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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
55
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
55
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
9.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2185
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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