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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
39
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
13.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
9.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2419
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
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