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PNY Electronics PNY 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Super Talent F26UB16GH 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Super Talent F26UB16GH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
8.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Super Talent F26UB16GH 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
8.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
6.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1769
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
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