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PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
27
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2922
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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