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PNY Electronics PNY 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Razões a considerar
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
27
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
20
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
15.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3483
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
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