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PNY Electronics PNY 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2686
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
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SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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