Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Pontuação geral
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB

Pontuação geral
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Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    28 left arrow 43
    Por volta de -54% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    17.4 left arrow 13.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.5 left arrow 9.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    23400 left arrow 12800
    Por volta de 1.83 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    43 left arrow 28
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.2 left arrow 17.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.3 left arrow 14.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 23400
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2285 left arrow 3419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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