RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Comparar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
42
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.2
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
2468
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link