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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de 43% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
46
Velocidade de leitura, GB/s
13.5
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1932
2961
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparações de RAM
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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