RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de 43% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
46
Velocidade de leitura, GB/s
13.5
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1932
2961
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link