RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
46
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1932
2961
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link