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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
40
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
34
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1806
2468
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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