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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
42
Por volta de 5% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
42
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1806
2352
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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