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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
43
Por volta de -79% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
24
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
3230
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
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Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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