RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Vergleichen Sie
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
43
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
11.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.4
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1823
3230
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link