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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Compara
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
43
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1823
3230
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
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