RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
43
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
9.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
2732
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link