RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
43
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.7
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2732
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link