RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
43
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
41
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
13.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
3073
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link