RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
43
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
41
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.7
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3073
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link