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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
Comparar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.4
6.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
4.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
43
Por volta de -43% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
43
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
6.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
4.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
788
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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