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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
40
Por volta de 38% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
40
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3015
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
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