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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
33
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
17.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3738
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
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