RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3738
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link