RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
50
Por volta de 50% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
50
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3277
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link