RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
25
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2740
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link