RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.0
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2740
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link