RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2740
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link