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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
95
Por volta de 74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.1
6.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
95
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
6.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
1450
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
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