RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
95
Около 74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
95
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
1450
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link