RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
35
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
35
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3278
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link