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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razões a considerar
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
25
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
22
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
2989
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
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