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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
13.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
59
Por volta de -111% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
13.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3317
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
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