RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
59
Por volta de -119% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
27
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2432
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 991586 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link