RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
21.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
19.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
59
Por volta de -181% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
21
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
19.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
4293
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link