RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
59
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
4293
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link