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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Razões a considerar
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
59
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.7
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
2,123.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
36
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
9.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
7.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
1789
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
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