RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
59
Por volta de -69% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
11.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2336
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link