RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
11.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
59
Por volta de -84% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
11.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
2853
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link