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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
58
74
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
74
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
9.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
1925
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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