RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
75
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
75
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
7.6
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
1717
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link