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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
46
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
37
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
13.4
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3147
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
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